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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
12.1
19.6
写入速度,GB/s
8.6
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3374
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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