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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
21.7
写入速度,GB/s
8.6
17.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3793
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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