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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
42
读取速度,GB/s
12.1
14.0
写入速度,GB/s
8.6
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2998
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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