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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
16.5
写入速度,GB/s
8.6
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3061
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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