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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
12.1
17.0
写入速度,GB/s
8.6
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2699
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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