RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2699
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link