RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparez
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Note globale
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de 39% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
2055
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link