RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
2055
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link