Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 38

Около 39% меньшая задержка

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.4 9.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 38
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 14.0
Скорость записи, Гб/сек

9.4 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2096 2055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston 9905700-046.A00G 16GB

Kingston 9905700-046.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

модули RAM