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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
12.1
18.3
写入速度,GB/s
8.6
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3615
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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