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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.1
17.1
写入速度,GB/s
8.6
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3047
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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