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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
16.9
写入速度,GB/s
8.6
14.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3316
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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