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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.1
15.1
写入速度,GB/s
8.6
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2804
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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