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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.9
17.5
写入速度,GB/s
9.7
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3103
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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