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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
9.7
16.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3908
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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