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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
18.5
写入速度,GB/s
9.7
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3794
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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