RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
9.7
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3048
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link