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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
19.4
写入速度,GB/s
9.7
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3756
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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