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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.9
19.0
写入速度,GB/s
9.7
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3331
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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