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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
9.7
11.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2734
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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