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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
9.7
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2382
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
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