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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
11.8
13.7
写入速度,GB/s
8.2
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2792
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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