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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
28
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
14
读取速度,GB/s
11.8
25.1
写入速度,GB/s
8.2
19.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
4182
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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