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Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
比较
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
总分
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
57
77
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,546.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
57
读取速度,GB/s
2,631.4
20.1
写入速度,GB/s
1,546.2
9.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
406
2328
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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