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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905624-043.A00G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
17.8
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3077
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Kingston 9905624-043.A00G 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB
Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965434-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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