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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
6.1
16.9
写入速度,GB/s
4.2
13.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3285
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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