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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
総合得点
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
65
周辺 -124% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
29
読み出し速度、GB/s
6.1
16.9
書き込み速度、GB/秒
4.2
13.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
985
3285
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MID 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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