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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
77
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
77
读取速度,GB/s
6.1
14.7
写入速度,GB/s
4.2
7.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
1688
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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