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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

总分
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

总分
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 19.2
    测试中的平均数值
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB 需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 71
    左右 -145% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.7 left arrow 1,322.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    71 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    2,831.6 left arrow 19.2
  • 写入速度，GB/s
    1,322.6 left arrow 15.7
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    399 left arrow 3400

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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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