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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.4
18.2
写入速度,GB/s
6.7
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
3546
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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