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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
54
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
39
读取速度,GB/s
9.4
13.7
写入速度,GB/s
6.7
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
2364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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