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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
13.8
11.4
写入速度,GB/s
8.2
12.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2804
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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