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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
48
读取速度,GB/s
8.9
17.0
写入速度,GB/s
5.9
10.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2366
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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