RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
13.8
15.7
写入速度,GB/s
8.2
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2491
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link