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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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更快的读取速度,GB/s
21
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
13.8
21.0
写入速度,GB/s
8.2
19.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
4129
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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