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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
总分
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
总分
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
8.2
8.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2163
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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