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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston 9905624-023.A00G 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.8
14.5
写入速度,GB/s
11.8
10.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2707
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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