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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
12.7
16.7
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3324
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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