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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
77
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
77
读取速度,GB/s
12.7
11.9
写入速度,GB/s
8.0
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1517
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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