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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
12.7
15.3
写入速度,GB/s
8.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2539
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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