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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
12.7
20.1
写入速度,GB/s
8.0
18.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
4207
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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