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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
76
左右 68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
76
读取速度,GB/s
14.4
15.7
写入速度,GB/s
9.4
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2267
1809
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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