RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
76
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
76
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2267
1809
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link