RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
76
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
76
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2267
1809
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link