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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
比较
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
总分
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
差异
规格
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
14.4
15.0
写入速度,GB/s
9.5
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2361
2700
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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