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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
57
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
19
读取速度,GB/s
6.8
20.0
写入速度,GB/s
5.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
3383
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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