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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
9.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3334
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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