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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
13.2
18.3
写入速度,GB/s
9.1
15.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3615
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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