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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
9.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3573
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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