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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
44
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
36
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
9.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2998
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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